(94/5/28)باندگپ انجینیرینگ (Bandgap Engineering) اعلام کرد که پیل خورشیدی سیلیکونی این شرکت توانسته است ۰٫۳ درصد بیشتر از پیل‌های خورشیدی استاندارد کارایی داشته باشد. این محصول مبتنی بر نانوساختارها توسط شرکت باندگپ انجینیرینگ پتنت شده‌است. در این پیل خورشیدی از لایه‌ای ۱۵۶ میلیمتری از جنس ترکیبات چندبلوری استفاده شده‌است.

این پیل با کمک موسسه فناوری جرجیا ساخته شده که دارای کارایی ۱۶٫۷ درصدی است. این درحالی است که کارایی پیل‌های استاندارد به صورت میانگین ۱۶٫۴ درصد است. نکته مهم درباره این پیل آن است که در ساخت آن از مواد و روش‌های رایج نظیر نشر استاندارد، متالیزه‌کرده چاپی استفاده می‌شود. در ساخت این پیل از نیترید سیلیکون استفاده شده‌است.

مارسی بلک از مدیران این شرکت می‌گوید: «نتایج تست روی این محصول نشان می‌دهد که راهبرد ما برای بهبود فناوری پیل خورشیدی سیلیکونی صحیح بوده است. ما روشی ارزان برای تولید پیل‌هایی با کارایی بالاتر ارائه کرده‌ایم. ما برای همکاری با تولیدکنندگان پیل خورشیدی برای تولید محصولی کاراتر اعلام آمادگی می‌کنیم. تولیدکنندگان می‌توانند با استفاده از فناوری شرکت ما، پیل‌هایی ارزان‌تر و کاراتر تولید کنند. ما این امکان را فراهم می‌کنیم تا تولیدکنندگان با استفاده از ویفرهای چند بلوری ارزان قیمت به همان نتیجه‌ ویفرهای تک بلوری گرانقیمت برسند.»

این شرکت موفق به ارائه فناوری شده است که با استفاده از روش‌های رایج می‌توان پیل‌های خورشیدی کاراتر با هزینه کم تولید کرد. این شرکت به روشی دست یافته است که با استفاده از آن می‌توان انعکاس نور را از سطح مرز دانه به حداقل برساند؛ در نتیجه ویفرهای چند بلوری، نتیجه مشابه ویفرهای تک بلوری می‌دهند. این یک راهبرد عالی برای رسیدن به سیستم‌های چندبلوری با کارایی بالا است.

یکی از مزیت‌های این راهبرد جدید آن است که از سیستم‌ها و روش‌های رایج برای تولید پیل‌های خورشیدی استفاده می‌کند؛ روش‌هایی که تمام تولیدکنندگان با آن آشنا هستند. در این فناوری مصرف سیلیکون به حداقل رسیده به طوری که ضخامت سیلیکون کمتر از یک میکرون است. این ویژگی برای تولیدکنندگان بسیار ایده‌آل است. این شرکت بدون نیاز به الگودهی لیزری و لیتوگرافی الگوهایی را با استفاده از نانوسیم روی سطح ایجاد کرده است.